Датчик магнитного поля на основе компенсированного кремния
Бахадырханов М.К.1, Илиев Х.М.1, Аюпов К.С.1, Сатторов О.Э.1
1Ташкентский государственный технический университет им. А.Р. Беруни, Узбекистан
Email: tstu@uzpak.uz
Поступила в редакцию: 8 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Исследованы эффект отрицательного магнитного сопротивления в кремнии, компенсированная марганцем, и возможность его использования в датчиках магнитного поля.
- Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. М.: Наука, 1975
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М., 1980. 296 с
- Гредескул С.А., Фрейлихер В.Д. // Успехи физ. наук. 1990. Т. 160. С. 239
- Олемской А.И. // Успехи физ. наук. 1996. Т. 166. С. 697
- Грошев А.Г., Новокшонов С.Г. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 7. С. 1322--1330
- Абрамович А.И., Мичурин А.В. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 11. С. 2052--2053
- Андрианов Д.Г., Савельев А.С., Фистуль В.И. и др. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 2. С. 210--215
- Андрианов Д.Г., Лазарева Г.В., Фистуль В.И. и др. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 8. С. 1555--1560
- Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М., 1983. 192 с
- Бахадырханов М.К., Камилов Т.С. и др. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 1. С. 76--80
- Бахадырханов М.К., Азизов К.А. и др. // ФТП. 1980. Т. 14. B. 11. С. 1028--1035
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук