Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2003, выпуск 15 » Статья стр. 87
<<<
Дефектообразование в эпитаксиальных слоях твердых растворов теллуридов кадмия-ртути при сильном легировании индием
Мынбаев К.Д.1, Иванов-Омский В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.
PDF версия
Исследовано влияние сильного (в концентрациях до 5· 1021 cm-3) легирования индием на поведение компонентов твердых растворов теллуридов кадмия-ртути. Показано, что при концентрациях индия в приповерхностных слоях выше 1021 cm-3 происходит обеднение этих слоев ртутью и кадмием, с одновременной сегрегацией кадмия в области, лежащей под легированным поверхностным слоем. Результатом сильного легирования является образование протяженных дефектов, проявляющихся в виде характерной картины, наблюдаемой методами электронной микроскопии после химического травления. Перераспределение компонентов твердых растворов при легировании объясняется особенностями дефектообразования в теллуридах кадмия-ртути.
  1. Vydyanath H.R., Aqariden F., Wijewarnasuriya P.S. et al. // J. Electron. Mater. 1998. V. 27 (6). P. 504--506
  2. Berding M.A. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29 (6). P. 664--668
  3. Robinson H.G., Berding M.A., Hamilton W.J. // J. Electron. Mater. 2000. V. 29 (6). P. 657--663
  4. Vydyanath H.R. // J. Electrochem. Soc. 1981. V. 128 (12). P. 2619--2625
  5. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. и др. // ФТП. 1991. Т. 25 (8). С. 1423--1428
  6. Shaw D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V. 89 (1). P. 173--183
  7. Weck G., Wandel K. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12 (6). P. 3023--3032
  8. Черепин В.Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев, 1992. 343 с
  9. Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов. М., 1978. 136 с
  10. Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. // ФТП. 1990. Т. 24 (3). С. 582--585
  11. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. Баку, 1984. 211 с
  12. Вирт И.С., Кемпник В.И., Цюцюра Д.И. // Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1986. Т. 22 (8). С. 1402--1403
  13. Pain G.N., McAllister T. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7(1). P. 231--232
  14. Венгель П.Ф., Томашик В.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1990. Т. 26 (2). С. 278--280

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme