Фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ
Хвостиков В.П.1, Лунин Л.С.1, Ратушный В.И.1, Олива Э.В.1, Шварц М.З.1, Хвостикова О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С.-Петербург Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета (Новочеркасского политехнического института), Волгодонск
Поступила в редакцию: 4 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.
С целью получения эпитаксиальных слоев GaAs на подложках германия разработан метод низкотемпературной жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) при быстром охлаждении раствора-расплава. Предложенный метод позволяет получать субмикронные слои GaAs на подложках германия для создания высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей.
- Wojtczuk S., Tobin S., Sanfacon M. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 1991. V. 11. N 8. P. 73--79
- Мокрицкий В.А., Шобик В.С. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1978. В. 8. С. 70--72
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 186
- Immorlica A., Ludington Jr. et al. // J. of Crystal Growth. 1981. V. 51. P. 131--139
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук