Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Вчерашний Д.Б.1,2, Обухов С.А.1,2, Феоктистов Н.А.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sobukhov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
Представлены первые результаты электрофизических исследований пленок карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом эпитаксии. Определен тип носителей заряда в пленках SiC на Si и измерена их плотность и подвижность. Исследования показали, что пленки SiC на Si, выращенные данным методом, обладают n-типом проводимости. Концентрация основных носителей заряда (электронов) в нелегированных слоях пленок SiC на Si составляет в среднем n~1018 cm-3. Подвижность основных носителей заряда (электронов) для пленок изменяется в зависимости от режимов синтеза от mu=27 до 85 cm2/(V·s).
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности: Пат. N 2363067, приоритет от 22.01.2008
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ДАН. 2012. Т. 444. N 3. С. 266
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 2. P. 4909
- Сорокин Л.М., Веселов Н.В., Щеглов М.П., Калмыков А.Е., Ситникова А.А., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 22. С. 88
- Harris G.L. Properties of SiC. EMIS Datareviews Series. N 13. INSPEC, IEE, UK, 1995
- Pensl G., Morkoc H., Monemar B., Janzen E. // Materials Science Forum. 1998. V. 264-268. P. 3
- Sze S.M. Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2nd ed. John Wiley \& Sons, Inc., 2002
- Мнацаканов Т.Т., Поморцев Л.И., Юрков С.Н. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 4. С. 406-409
- Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.А., Лебедев С.П., Смирнов А.Н., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Yakimova R. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 12. С. 61
- Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. (eds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. John Wiley \& Sons, Inc., 2001
- Sasaki K., Sakuma E., Misawa S., Yoshida S., Gonda S. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. P. 72
- Yamanaka M., Daimon H., Sakuma E., Misawa S., Yoshida S. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. N 2. P. 599
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
