Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO3 на Si подложке
Алексеев П.А.1,2,3,4, Дунаевский М.С.1,2,3,4, Гущина Е.В.1,2,3,4, Дургун Збен (E. Durgun Ozben) Е.1,2,3,4, Лахдеранта (E. Lahderanta) Е.1,2,3,4, Титков А.Н.1,2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Peter Grunberg Insitute 9 (PGI-9-IT) and JARA-FIT, Research Center Julich, Julich,Germany
4Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
Email: npoxep@gmail.com
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
Методом кельвин-зонд-микроскопии исследовалась утечка зарядов в нанотонких слоях LaScO3 на подложке Si. Обнаружено, что в этой системе имеет место утечка зарядов из слоя LaScO3 в интерфейсный слой на границе с Si с последующими латеральным разбеганием зарядов уже в плоскости интерфейсного слоя и одновременным уходом в подложку Si. Непосредственно в слое LaScO3 латерального разбегания зарядов не наблюдалось.
- Muller D.A., Sorsch T., Moccio S. et al. // Nature. 1999. V. 399. P. 758
- Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243
- Lopes J.M.J., Littmark U., Roeckerath M. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 01. P. 104 109 (5 p.)
- Edge L.F., Schlom D.G., Rivillon S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 062 902
- Liu F., Duscher G. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 152 901
- Buh G., Chung H.J., Kuk Y. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 2010
- Ozben E.D., Schnee M., Nichau A. et al. // Microelectronic Engineering. 2011. V. 88. P. 1323--1325
- Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A., Girard P. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. P. 084 304 (9 p.)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
