"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние процессов сегрегации и термодиффузии на формирование границ раздела в наноструктурных и многоэлементных покрытиях (Ti-Hf-Zr-V-Nb)N
Погребняк А.Д.1,2, Береснев В.М.1,2, Колесников Д.А.1,2, Каверин М.В.1,2, Шипиленко А.П.1,2, Oyoshi К.1,2, Takeda Y.1,2, Krause-Rehberg R.1,2, Пономарев А.Г.1,2
1Сумской государственный университет, Украина
2Харьковский национальный университет, Украина Белгородский государственный университет, Россия National Institute for Material Science, Tsukuba, Japan Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Halle, Germany Институт прикладной физики НАН Украины, Сумы, Украина
Email: alexp@i.ua
Поступила в редакцию: 17 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Впервые были исследованы сверхтвердые наноструктурные покрытия на основе (Ti-Hf-Zr-V-Nb) до и после отжига при 600oC. Было обнаружено, что захват позитронов дефектами происходит по границам нанозерен и на интерфейсах (вакансиях и нанопорах, входящих в тройные и более стыки нанозерен). Получены карты распределения элементов в 3D-измерениях в сверхтвердом покрытии, измеренные методом mu-PIXE (микропучка протонов). Профили элементов и дефектов (полученные микропучком позитронов) позволяют понять физическую картину процессов, связанных с формированием границ раздела (интерфейсов) и субграниц в наноструктурном покрытии (Ti-Zr-Hf-V-Nb)N.
  1. Погребняк А.Д., Шпак А.П., Азаренков Н.А., Береснев В.М. // УФН. 2009. Т. 179. С. 35--64
  2. Погребняк А.Д.. Пономарев А.Г., Шпак А.П., Куницкий Ю.А. // УФН. 2012. Т. 182. С. 287--321
  3. Погребняк А.Д., Береснев В.М., Демьяненко А.А., Байдак В.С., Комаров Ф.Ф., Каверин М.В., Махмудов Н.А., Колесников Д.А. // ФТТ. 2012. Т. 54. В. 9. С. 1764--1771
  4. Погребняк А.Д., Соболь О.В., Береснев В.М., Турбин П.В., Дуб С.Н., Кирик Г.В., Дмитриенко А.Е. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 19 С. 103--110
  5. Musil J. // Surf. Coat. Tech. 2000. V. 125. P. 322--330
  6. Veprek S. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. A17. P. 2401--2420
  7. Liang S.-C., Tasi D.-C., Chang Z.-C., Lin T.-N., Shiao M.-Y., Shieu F.-S. // Electrochem. Solid-State Lett. 2011. V. 15. Is. 1. P. H5--H8
  8. Лаврентьев В.И., Погребняк А.Д., Михалев А.Д., Погребняк Н.А., Шандрик З., Зекка А., Цвинтарная Ю.В. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 9. С. 13--20
  9. Лаврентьев В.И., Погребняк А.Д., Шандрик Р. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 65. В. 8. С. 618--622
  10. Ремпель С.В., Гусев А.И. // Письма в ЖЭТФ. 2008. Т. 88. В. 7. С. 508--513
  11. Pogrebnyak A.D., Ponomarev A.G., Kolesnikov D.A., Beresnev V.M., Komarov F.F., Mel'nik S.S., Kaverin M.V. // Tech. Phys. Lett. 2012. V. 38. Is. 7. P. 623
  12. Wurschum R., Farber P., Dittmar R., Scharwaechter P., Frank W., Schaefer H.-E. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 79. Is. 24. P. 4918--4921
  13. Лаврентьев В.И., Погребняк А.Д., Шандрик Р. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 65. В. 1. С. 86--89
  14. Lin S.-Y., Chang S.-Y., Huang Y.-C., g Shieu F.-S., Yeh J.-W. // Surf. and Coat. Tech. 2012. V. 206. Is. 24. P. 5096--5102
  15. Соболь О.В., Андреев А.А., Горбань В.Ф., Крапивка Н.А., Столбовой В.А., Сердюк И.В., Фильчиков В.Е. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 13. С. 40--48

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.