"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности фотодиэлектрического эффекта в слоях alpha-As2Se3
Анисимова Н.И.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1, Кастро Р.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@fromru.com
Поступила в редакцию: 8 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

Представлены результаты исследования фотодиэлектрического эффекта в слабопеременных электрических полях в аморфных слоях триселенида мышьяка. В инфранизкочастотном диапазоне при понижении частоты выявлено совпадение экспериментальной и теоретической функций относительного изменения проводимости. Установлено наличие минимума на частотной зависимости коэффициента рекомбинации.
  1. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 662 с
  2. Pillai P.K.C., Nath R. // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. V. 37. N 2. P. 491
  3. Кастро Р.А., Бордовский В.А., Грабко Г.И. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 17. С. 9.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.