Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей
Родин П.Б.1, Минарский А.М.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербруг Академический физико-технологический университет РАН, Санкт-Петербург
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Проведено численное моделирование пространственно неоднородного субнаносекундного переключения высоковольтных кремниевых диодов при задержанном лавинном пробе. Исследована зависимость переходного процесса от соотношения между полной площадью структуры и площадью той части, на которой происходит переключение. Достигнуто согласие с экспериментом по времени переключения (60-70 ps) и качественному виду переходной характеристики. Показано что быстрый спад напряжения на диоде начинается уже после того, как фронт ионизации пробежал большую часть базы, и затем продолжается за счет вторичного лавинного пробоя заполненной свободными носителями базы. Время переключения структуры в проводящее состояние не имеет прямой связи со скоростью движения фронта.
- Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 15. С. 950--953
- Benzel D., Pocha M. // Rev. Sci. Inst. 1985. V. 56. P. 1456--1458
- Флферов Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Корольков В.И., Степанова М.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
- Kardo-Susoev A.F. New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses in Ultra-Wideband Radar Technology / Ed. by J.D. Taylor. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
- Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010. V. 38. P. 1118--1123
- Focia R.J., Shcmiloghu E., Flederman C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
- Биленко Ю.Д., Левинштейн М.Е., Попова М.В., Юферев В.С. // ФТП. 1983. В. 17. С. 1812--1816
- Кардо-Сысоев А.Ф., Попова М.В. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 5. P. 803--811
- Jalali H., Joshi R., and Gaudet J. // IEEE Trans. Electron devices. 1998. V. 45. P. 1761--1768
- Rodin P., Ebert U., Hundsdorfer W., Grekhov I.V. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. N 4. P. 1971--1980
- Грехов И.В., Родин П.Б. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 18. С. 17--25
- Rodin P., Rodina A., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 094506 (1--11)
- Astrova E.V., Voronkov V.B., Kozlov V.A., Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 488--455
- Minarsky A., Rodin P. // Solid State Electronics. 1997. V. 41. N 6. P. 813--824
- Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В,, Левинштейн М.Е. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 16. С. 1526--1530
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
