Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Восстановление времени жизни носителей заряда под воздействием ультразвуковой обработки в gamma-облученном кремнии
Подолян А.А.1, Надточий А.Б.1, Коротченков О.А.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина 
Email: gogi@univ.kiev.ua
Поступила в редакцию: 31 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Показано, что ультразвуковая обработка gamma-облученного кремния способна существенно восстановить время жизни неосновных носителей заряда, уменьшенное облучением. Достигнутая степень восстановления составляет порядка 70%. Предложен механизм эффекта восстановления, связанный с освобождением вакансий из E-центров и их последующим захватом на дефектные стоки. Предполагается, что такими стоками могут быть микродефекты A-типа.
- Bruzzi M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. V. 48. N 4. P. 960--971
- Yamamoto Y., Kawasaki O., Matsuda S., Morita Y. // Proceedings of the European Space Power Conference. Poitiers, France, 4--8 Sept. 1995. ESA SP-369, 1995. P. 573--578
- Lindstrum G., Moll M., Fretwurst E. // Nucl. Instrum. Meth. A. 1999. V. 426. N 1. P. 1--15
- http://rd50.web.cern.ch/rd50/
- Sadrozinski H.F.-W. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. V. 48. N 4. P. 933--940
- Bruzzi M., Bisello D., Borrello L., Borchi E. et al. // Nucl. Instrum. Meth. A. 2005. V. 552. N 1--2. P. 20--26
- Maekava T., Inoue S., Aiura A., Usami A. // Semicond. Sci. Technol. 1986. V. 1. N 5. P. 305--312
- Londos C.A., Potsidi M.S., Misiuk A., Ratajczak J., Emtsev V.V., Antonaras G. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. N 7. P. 4363--4367
- Ostapenko S., Korsunskaya N.E., Sheinkman M.K. // Solid State Phenom. 2002. V. 85--86. P. 317--336
- Krevchik V.D., Muminov R.A., Yafasov A.Ya. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 63. N 2. P. K159--K162
- Ostrovskii I.V., Korotchenkov O.A. // ЖТФ. 1986. Т. 56. В. 11. С. 2283--2284
- Олих Я.М., Тимочко Н.Д., Долголенко А.П. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 13. С. 67--73
- Подолян А.А., Хиврич В.И. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 10. С. 11--16
- Гусейнов Н.А., Олих Я.М., Аскеров Ш.Г. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 1. C. 38--44
- Gorb A.M., Olikh O.Ya., Podolian A.O., Korotchenkov O.A. // IEEE Trans. Nuclear Sci. 2010. V. 57. N 3. P. 1632--1639
- Semenyuk A.K., Khivrich V.I., Konozenko I.D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1971. V. 7. N 1. P. 51--59
- Podolian A., Nadtochiy A., Kuryliuk V., Korotchenkov O., Schmid J., Drapalik M., Schlosser V. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2011. V. 95. N 2. P. 765--772
- Secco D'aragona F. // Phys. Stat. Sol. (a). 1971. V. 7. N 2. P. 577--582
- Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization. 2nd ed. Wiley-Interscience, 1998. 760 p
- Misrachi S., Peaker A.R., Hamilton B. // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1980. V. 13. N 10. P. 1055--1061
- Podolian A., Kuryliuk V., Korotchenkov O. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2009. V. 93. N 11. P. 1946--1951
- Stein H.J. // Radiation Effects in Semiconductors / Ed. by J.W. Corbett and G.D. Watkins. New York: Gordon and Breach, 1971. P. 125
- Auret F.D., Deenapanray P.N.K. // Critical Rev. Sol. State Mater. Sci. 2004. V. 29. N 1. P. 1--4
- Brotherton S.D., Bradley // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N 8. P. 5720--5732
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
