"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Арсенид-галлиевые p-i-n-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках
Жиляев Ю.В.1, Микулик Д.И.1, Насонов А.В.1, Орлова А.1, Пантелеев В.Н.1, Полетаев Н.К.1, Федоров Л.М.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Рассмотрены особенности создания арсенид-галлиевых p-i-n-структур на германиевой подложке. Определены режимы роста методом ХГФЭ, позволяющие получить p-i-n-структуры высокого качества с электрофизическими характеристиками, близкими к аналогичным при гомоэпитаксии. Исследованы спектры экситонной фотолюминесценции при разных толщинах ультрачистого слоя GaAs и при разных условиях роста.
  • Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М. и др. // ЖТФ. 2007. Т. 77. В. 10. С. 121--124
  • Fedorov L.M., Mikulik D.I., Orlova T.A., Panteleev N.K., Poletaev N.A., Snytkina C.A., Zhilyaev Yu.V. // Physics: Conference Series. 2011. V. 291. P. 012051
  • Modak P., Hudait M., Hardikar S. // Cryst. Growth. 1998. V. 193. P. 501
  • Li W., Laaksonen S., Haapamaa J. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227--228. P. 104
  • Zhilyaev Yu.V., Poletaev N.K., Bitnaryauk V.M., Orlova T.A., Fedorov L.M., Yusupova Sh.A., Owens A., Bavdaz M., Peacock A., O'Meara B., Helava H. // Phys. Stat. Sol. 2003. V. 0(3). P. 1024--1027
  • Sequoia S.A., Stillman G.E., Wolf C.M. // Thin Solid films. 1976. V. 31. P. 69
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.