Вышедшие номера
Модификация монослойной прослойки нижележащим подслоем и ее влияние на механизм роста пленки
Плюснин Н.И.1, Тарима Н.А.1, Ильященко В.М.1, Китань С.А.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток Владивостокский государственный университет экономики и сервиса
Email: plusnin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

Приведены результаты работы по исследованию влияния верхнего монослоя Si в прослойках Fe-Si на механизм роста пленок Cu толщиной 7 ML при их осаждении из молекулярно-лучевого источника. Исследование проводили в условиях сверхвысокого вакуума методами спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и электронной оже-спектроскопии. Кроме того, в атмосфере была исследована морфология полученных образцов методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что на прослойке Si(1ML)/Fe2Si3(5ML)/Si(001) пленка Cu растет псевдопослойно (с растворением монослоя Si), а на прослойке Si(1ML)/Fe(1ML)/Si(1ML)/Fe(1ML)/Si(001) - в виде островков. Данный эффект объясняется различным химическим состоянием поверхности верхнего монослоя Si, обусловленным влиянием на это состояние нижележащих подслоев Fe-Si с различной структурой.