Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 6 » Статья стр. 90
<<<
Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Жуков С.Г.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Лундин В.В.1,2, Синицын М.А.1,2, Рожавская М.М.1,2, Цацульников А.Ф.1,2, Трошков С.И.1,2, Феоктистов Н.А.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin_s@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
PDF версия
Впервые выращена светодиодная структура на основе III-нитридов на подложке кремния (111) с использованием нанослоя SiC (50-200 nm), полученного методом твердофазной эпитаксии. При этом достигается рекордно низкая плотность дислокаций несоответствия решеток <108 cm-2 при общей плотности дислокаций ~ 8· 108 cm-2. Измерены спектры фото- и электролюминесценции полученных структур.
  1. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-based microelectronics // Ed. by T. Li, M. Mastro, A. Dadgar. Boca Raton: CRC Press, 2011. 594 p
  2. Pearton S.J., Kang B.S., Suku Kim, Ren F., Gila B.P., Abernathy C.R., Jenshan Lin, Chu S.N.G. // J. Phys.: Cond. Mater. 2004. V. 16 (29). P. R961--R994
  3. Ishikawa H., Jimbo T., Egawa T. // Phys. Stat. Sol. 2008. V. 5 (6). P. 2086--2088
  4. Yoshida S. et al. // Phys. Stat. Sol. ( a). 2006. V. 297 (2). P. 279--282
  5. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188--1195
  6. Сорокин Л.М., Калмыков А.Е., Бессолов В.Н., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А., Веселов Н.В. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 7. С. 72--79

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme