"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
Надточий А.М.1,2,3,4, Блохин С.А.1,2,3,4, Кузьменков А.Г.1,2,3,4, Максимов М.В.1,2,3,4, Малеев Н.А.1,2,3,4, Трошков С.И.1,2,3,4, Леденцов Н.Н.1,2,3,4, Устинов В.М.1,2,3,4, Mutig A.1,2,3,4, Bimberg D.1,2,3,4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin Germany
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Приведены результаты сравнительных исследований структурных параметров, статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров (VCSEL) с микрорезонаторами на основе Al0.15Ga0.85As и Al0.8Ga0.2As. Вследствие вертикального окисления слоев микрорезонатора Al0.8Ga0.2As при формировании оксидной токовой апертуры происходит значительное увеличение толщины оксида, приводящее к существенному уменьшению паразитной емкости прибора и увеличению в 1.7-2 раза частоты отсечки низкочастотного фильтра, образованного паразитными элементами электрической эквивалентной схемы.
  • Kenichi Iga // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 2000. V. 6. N 6. P. 1201
  • Blokin S.A., Lott J.A., Mutig A., Fiol G., Ledentsov N.N., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Shchukin V.A., Bimberg D. // Electron. Lett. 2009. V. 45. N 10. P. 501
  • Mutig I.A., Blokhin S.A., Nadtochiy A.M., Fiol G., Lott J.A., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 131101
  • Надточий А.М., Блохин С.А., Мутиг А., Лотт Дж., Леденцов Н.Н., Карачинский Л.Я., Максимов М.В., Устинов В.М., Бимберг Д. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 688
  • Larsson A., Westbergh P., Gustavsson J., Haglund A. // Proc. of SPIE. 2010. V. 7615. P. 761505
  • Ledentsov N.N. et al. // Proc. of SPIE. San Diego, CA, USA 64681O, 2007
  • Blokhin S.A. et al. // J. Quant. ELectron. 2006. V. 42. P. 851
  • Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. Wiley, 1995
  • Hawkins B.M., Hawthorne III, R.A., Guenter J.K., Tatum J.A., Biard J.R. Proceedings of IEEE 52nd Electronic Components and Tecnology Conference. San Diego, CA. May 2002. P. 540--550
  • Chang Y.-C., Coldren L.A. // J. Sel. Topics Quant. Electron. 2009. V. 15. P. 704
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.