"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO2
Багмут А.Г.1, Багмут И.А.1, Жучков В.А.1, Шевченко М.О.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
Email: Bagmut@kpi.Kharkov.ua
Поступила в редакцию: 22 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO2. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO2. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO2.
  1. Соколов А.А., Овчинников А.А., Лысенков К.М. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. В. 7. С.131--136
  2. Aarik J., Mandar H., Kirm M., Pung L. // Thin solid films. 2004. V. 466. P. 41--47
  3. Ho M.-Y., Gong H., Wilk G.D. et al. // Applied Physics. 2003. V. 93. N 3. P. 1477--1481
  4. Aarik J., Aidla A., Mandar H. et al. // Applied Surface Science. 2001. V. 173. P. 15--21
  5. Пугачевский М.А., Заводинский В.Г., Кузьменко А.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 2. С. 98--102
  6. Багмут А.Г., Шипкова И.Г., Жучков В.А. Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 8. С. 52--59

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.