Вышедшие номера
К вопросу об электромиграции расплавленных включений в системе алюминий-кремний
Скворцов А.А.1, Мурадов В.Е.1, Каштанова Е.А.1
1Московский государственный технический университет "МАМИ"
Email: SkvortsovAA2009@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Проведен сравнительный анализ формирования и электромиграции расплавленных включений алюминий-кремний (Al-Si) в кристаллах кремния и алюмниия. Обнаружено, что в температурном интервале T=850-920 K в результате контактного плавления в рассматриваемой системе формируются расплавленные включения размером 50-800 mum. Обнаружена их электростимулированная миграция (j=< 4· 106 A/m2) вдоль линий напряженности электрического поля. По размерной зависимости удельной скорости перемещения W/j расплавленных зон Al-Si в кремнии и алюминии сделан вывод о механизмах перемещения расплавленных зон: это плавление и кристаллизация на межфазных границах за счет термоэлектрических явлений и электромиграции атомов в объеме включения. Экспериментально определены численные значения эффективных зарядов атомов Al и Si в расплавах Al-Si, а также коэффициенты Пельтье системы кристалл-расплав.