"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Переход заряда в системе эпитаксиальный графен-металлический субстрат
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Предлагается простая модель, позволяющая получить аналитические выражения для плотности состояний эпитаксиального слоя графена на металлическом субстрате и чисел заполнения атомов углерода. Даны оценки величины перехода заряда для ряда металлических подложек.
  1. Castro Nero A.H., Guinea F., Peres N.M.R., Novoselov K.S., Gaim A.K. // Rev. Mod. Phys. 2008. V. 81. N 1. P. 109-162
  2. Giovannetti G., Khomyakov P.A., Brocks G., Karpan V.M., Van den Brink J., Kelly P.J. // Phys. Rev. Lett. 2008. V. 101. P. 026803
  3. Khomyakov P.A., Giovannetti G., Rusu P.C., Van den Brink J., Kelly P.J. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 195425
  4. Khomyakov P.A., Starikov A.A., Brocks G., Kelly P.J. // arXiv: 0911.2027
  5. Vanin M., Martensen J.J., Kelkkanen A.K., Garcia-Lastra J.M., Thygessen K.S., Jacobsen K.W. // arXiv: 0912.3078
  6. Brako R., Sokcevic D., Lazic P., Atodiresei N. // arXiv: 1006.1280
  7. Li Z.Y., Qiao S., Yang Z.Q., Wu R.Q. // arXive: 1008.0696
  8. Wang B., Caffio M., Bromley C., Fruchtl H., Schaub R. // ACS Nano. 2010. V. 4. N 10. P. 5773-5782
  9. Kong L., Bjekevig C., Gaddam S., Zhou M., Lee Y.H., Han G.H., Jeong H.K., Wu N., Zhang Z., Xian J., Dowben P.A., Kelber A. // J. Phys. Chem. C (in press)
  10. Anderson P.W. // Phys. Rev. 1961. V. 124. N 1. P. 41-53
  11. Давыдов С.Ю. // ФТТ. 1978. Т. 20. N 6. С. 1752-1757
  12. Давыдов С.Ю. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 6. С. 629-633.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.