Вышедшие номера
Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)
Якушев М.В.1, Варавин В.С.1, Васильев В.В.1, Дворецкий С.А.1, Предеин А.В.1, Сабинина И.В.1, Сидоров Ю.Г.1, Сорочкин А.В.1, Сусляков А.О.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 1 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Впервые продемонстрирована возможность изготовления на основе гетероструктуры CdxHg1-xTe/Si(310) линейчатого инфракрасного фотоприемника формата 288x 4 для длинноволновой (8-12 mum) области инфракрасного спектра.
  1. Manissadjian A., Tribolet P., Chorier P., Costa P. // Proc. SPIE. 2000. V. 4130. P. 1--16
  2. Weiss E. // Proc. SPIE. 2009. V. 7298. P. 72982W1-15
  3. Kobayash M., Wada H., Okamura T., Kudo J., Tanikawa K., Hikida S., Miyamoto Y., Miyazaki S., Yoshida Y. // Opt. Eng. 2002. V. 41. P. 1876--1885
  4. Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В., Сусляков А.О. // Автометрия. 2009. Т. 45. В. 4. C. 23--31
  5. Vasiliev V.V., Klimenko A.G., Marchishin I.V., Ovsyuk V.N., Talipov N.Kh., Zakhar'yash T.I., Golenkov A.G., Derkach Yu.P., Reva V.P., Sizov F.F., Zabudsky V.V. // Infrared Physics \& Technology. 2004. V. 44. P. 13--23
  6. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с
  7. Sizov F.F., Vasil'ev V.V., Suslyakov A.O., Reva V.P., Golenko A.G. // Optoelectron. review. 2006. V. 14. P. 67--74

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.