Транзисторные структуры с управляемым потенциальным рельефом одномерного квантового канала
Борисов В.И.1, Лапин В.Г.1, Сизов В.Е.1, Темирязев А.Г.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл. ФГУП НПП "Исток", Фрязино, Московская обл.
Email: vbi@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
На основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом методом локального анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа созданы структуры с одномерным проводящим каналом и трехсекционными боковыми управляющими затворами. Показано, что затворы позволяют управлять продольным потенциальным профилем канала. На измеренных зависимостях кондактанса канала от напряжений на затворах наблюдались плато, в том числе не кратные 2e2/h, и максимумы, положение и вид которых определяются соотношением потенциалов на затворах.
- Pepper М., Bird J. // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. N 16. P. 160301
- Simmonds P.J., Sfigakis F., Beere H.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 152108
- Chen Т.-M., Graham А.С., Pepper M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 032102
- Liu K.M., Hsiao J.H., Hong T.M. et al. // J. Phys.: Conference Series. 2009. V. 150. P. 022052
- Nieder J., Wieck A.D., Grambow P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N 25. P. 2695
- Held R., Vancura T., Heinzel T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. N 2. P. 262
- Fuhrer А., Luscher S., Heinzel T. et al. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. N 12. P. 125309
- Liang C.-T., Pepper M., Simmons M.Y. et al. // Chinese J. of Physics. 2001. V. 39. N 6. P. 533--544
- Liu T.-M., Hemingway B., Kogan A. et al. // arXiv:0910.0570v2. 2009
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.