Особенности формирования CoSi2 при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si(100)
Рудаков В.И.1, Денисенко Ю.И.1, Наумов В.В.1, Симакин С.Г.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН
Email: valeryrudakov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Для формирования CoSi2 в качестве исходной была выбрана структура Ti(8 nm)/Co(10 nm)/Ti(5 nm)/Si(100)-подложка, полученная магнетронным распылением. После двухстадийного быстрого термического отжига (БТО) в азоте образцы структур на каждой стадии исследовались с помощью времяпролетной ВИМС, ОЭС, СЭМ и рентгеновского энергодисперсионного анализа. В результате БТО-1 (550oC, 45 s) образуется поверхностный "жертвенный" слой TiNxOy с захватом остаточной примеси (O, C и N) из внутренних границ раздела исходной структуры. После химического удаления слоев TiNxOy и обогащения кобальтом в результате БТО-2 (830oC, 25 s) формировалась низкорезистивная фаза CoSi2.
- Bei Li, Jiandin Liu. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 084 905
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 с
- Donaton R.A., Maex K., Vantomme A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. N 10. P. 1266--1268
- Detavernier C., Lavoie C., Van Meirhaeghe R.L. // Thin Solid Films. 2004. V. 468. N 1--2. P. 174
- Рудаков В.И., Гусев В.Н. // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. N 4. С. 245--257
- US Patent 6410429, H 01L21/44, field Mart. 1. 2001
- Vulpio M., Fazio D., Bileci M. et al. // The Electrochem. Soc. 2003. 204th meeting. Abs. 594
- Wacquant F., Regnier C., Basco M.-T. et al. // Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices / Eds F. Roozeboom et al. The Electrochem. Soc. 2003. P. 191--196
- Gao Y. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. P. 3760--3762
- Magee C.W., Harrington W.L., Botnick E.M. // Int. J. Mass Spectrosc. 1990. N 103. P. 45--46
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
