"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
Лебедев А.А.1, Абрамов П.Л.1, Зубрилов А.С.1, Богданова Е.В.1, Лебедев С.П.1, Середова Н.В.1, Трегубова А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Показана возможность получения политипно-однородных толстых (>100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли.
  1. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. Eds. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. John Wiley \& Sons, Inc. 2001
  2. Lely J.A. // Ber. Dt. Keram. Ges. 1955. V. 32. P. 229
  3. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. // J. Cryst. Growth. 1978. V. 43. P. 209
  4. Gorin S.N., Ivanova L.M. // Phys. Stat. Sol ( b). 1997. V. 202. P. 221
  5. Nishino S., Powel J., Will N.A. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. P. 460
  6. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. // ФТТ. 1977. Т. 19. С. 1812
  7. Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. R17
  8. Davydov D., Lebedev A.A., Tregubova A.S. et al. // Mat. Sci. Forum. 2000. V. 338--342. P. 221
  9. Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Богданова Е.В. Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С., Suvajarvi M., Yakimova R. // ФТП. 2007. Т. 41. С. 273
  10. Savkina N.S. et al. // Mat. \& Eng. 2000. V. B77. P. 50
  11. www.nitride-crystals.com, Karpov S.Yu., Kulik A.V., Zhmakin I.A., Makarov Yu.N., Mokhov E.N., Ramm M.G., Tamm M.S., Roenkov A.D., Vadakov Yu.A. // J. Crystal Growth. 2000. V. 211. P. 347--351
  12. Suzuki A., Matsunami H., Tanaka T. // J. Electrochem. Soc.: Solid-state science and technology. V. 124. N 2. P. 241--246

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.