"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Павлов Д.А.1, Шиляев П.А.1, Коротков Е.В.1, Кривулин Н.О.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: korotkov_ev@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Показано, что на начальных стадиях молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на сапфире на поверхности подложки образуется массив островков кремния. При низких температурах подложки (меньше 650oC) островки имеют пирамидальную форму. При температурах подложки выше 650oC форма островков --- куполообразная. С повышением температуры роста латеральный размер кластеров кремния увеличивается, а их плотность уменьшается. Макимальная плотность островков составила 2· 1011 cm-2, латеральный размер не превышает 20 nm, а высота --- 3 nm.
  1. Дубровский В.Г. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2003. В. 17. С. 41--48
  2. Шиляев П.А., Павлов Д.А., Коротков Е.В. и др. // Материалы электронной техники. 2008. N 2. С. 62--68
  3. Папков В.С., Суровиков М.В., Маркова Т.И. // Неорганические материалы. 1971. Т. VII. N 9. С. 1481--1484
  4. Abrahams M.S. et al. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N 12. P. 5139--5150
  5. Yanagiya S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 10. P. 1409--1411
  6. Dubbelday W.B. Residual strain and defects in solid phase epitaxial regrown Si and SiGe on saphire and device application // Diss. PhD in Electrical engineering/ W.B. Dubbelday --- San Diego, 1998. 165 p
  7. Пчеляков О.П., Болховидянов Ю.Б., Двуреченский А.В. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 11. С. 1281--1299
  8. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. М.: Сов. радио, 1977. Т. 2. 768 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.