Исследована возможность радиационного усиления фотопроводимости sigma_ph кристаллического ZnSe. По оптической плотности кристалла ZnSe : O на уровне E_g=2.58 eV определена концентрация электронов N_Eg=1.26· 10¹⁶ cm^-3. Облучение ⁶⁰Co гамма-квантами 10⁶ Gy в ZnSe : O привело к созданию пяти резонансных уровней: Gamma_6v - 5.76 eV, L_1.3v - 4.85 eV, Zn_i - 3.34 eV, O_Se - 3.13 eV и X - 2.72 eV, снижению N_Eg=0.63· 10¹⁶ cm^-3 и 2-кратному росту sigma_ph. Примесь Te до 0.2 wt. % тоже создает уровень L_1,3v и увеличивает N_Eg=2.02· 10¹⁶ cm^-3 и sigma_ph=2.01· 10^-10 Omega^-1. Облучение тоже привело к формированию в допированных кристаллах дополнительного резонансного уровня Zn_i - 3.34 eV и к 2-кратному росту sigma_ph. При содержании Te до 0.5 wt. % также формируется Zn_i, но с большей энергией 3.39 eV, что обусловливает рост sigma_ph=7.6· 10^-9 Omega^-1. Однако после облучения этот центр разрушается и фотопроводимость снижается.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.