Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины ~ 1.3 mum). Использование дозы ионов 6· 1014 cm-2 и отжига при 700oC позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8-10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем.
- Zvonkov B.N., Biryukov A.A., Ershov A.V., Nekorkin S.M., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Dubinov A.A., Maremyanin K.V., Morozov S.V., Belyanin A.A., Kocharovsky V.V., Kocharovsky Vl.V. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 021122
- Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дубинов А.А. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 9. С. 98--100
- Tan H.H., Williams J.S., Jagadish C., Burke P.T., Gal M. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 2401--2403
- Tan H.H., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2680--2682
- Poole P.J., Charbonneau S., Aers G.C., Jackman T.T., Buchanan M., Dion M., Goldberg R.D., Mitchell I.V. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 2367--2371
- de Souza J.P., Danilov I., Boudinov H. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 650--655
- Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon Press, Oxford, 1985. V. 1
- Danilov I., Pataro LL., de Castro M.P.P., do Nascimento G.C., Frateschi N.C. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2001. V. 175--177. P. 782--786
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
