"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
Ахлестина С.А.1,2, Васильев В.К.1,2, Вихрова О.В.1,2, Данилов Ю.А.1,2, Звонков Б.Н.1,2, Некоркин С.М.1,2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины ~ 1.3 mum). Использование дозы ионов 6· 1014 cm-2 и отжига при 700oC позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8--10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем.
  1. Zvonkov B.N., Biryukov A.A., Ershov A.V., Nekorkin S.M., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Dubinov A.A., Maremyanin K.V., Morozov S.V., Belyanin A.A., Kocharovsky V.V., Kocharovsky Vl.V. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 021122
  2. Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дубинов А.А. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 9. С. 98--100
  3. Tan H.H., Williams J.S., Jagadish C., Burke P.T., Gal M. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 2401--2403
  4. Tan H.H., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2680--2682
  5. Poole P.J., Charbonneau S., Aers G.C., Jackman T.T., Buchanan M., Dion M., Goldberg R.D., Mitchell I.V. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 2367--2371
  6. de Souza J.P., Danilov I., Boudinov H. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 650--655
  7. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon Press, Oxford, 1985. V. 1
  8. Danilov I., Pataro LL., de Castro M.P.P., do Nascimento G.C., Frateschi N.C. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2001. V. 175--177. P. 782--786

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.