Вышедшие номера
Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
Ахлестина С.А.1,2, Васильев В.К.1,2, Вихрова О.В.1,2, Данилов Ю.А.1,2, Звонков Б.Н.1,2, Некоркин С.М.1,2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины ~ 1.3 mum). Использование дозы ионов 6· 1014 cm-2 и отжига при 700oC позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8-10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем.