Контактная электризация кристаллов природного алмаза
Рябов Е.В.1, Мухачев Ю.С.1
1Научно-исследовательский институт прикладной физики ГОУ ВПО "ИГУ", Иркутск
Email: borzenko@api.isu.ru
Поступила в редакцию: 16 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Приведены результаты исследования процесса накопления трибоэлектрического заряда кристаллом природного алмаза при контактной электризации на металлической поверхноcти. Экспериментально установлено, что процесс контактной электризации кристалла алмаза связан с накоплением положительного электрического заряда в результате заполнения уровней захвата дырок с энергией активации 1.1-2.17 eV. Предложена физическая модель процесса контактной электризации кристалла алмаза.
- Мухачев Ю.С., Рябов Е.В., Борзенко С.Ю. Способ сепарации алмазосодержащих материалов и устройство для его осуществления // Патент РФ N 2353439. Бюл. N 12 от 27.04.2009
- Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1991. 248 с
- Мухачев Ю.С. Исследование явлений, связанных с переносом электрического заряда в природных алмазах. Дис.... к.ф.-м. наук. Иркутск, 1977. 157 с
- Рябов Е.В. // Вестник Иркутского университета. Специальный выпуск: Материалы научно-теоретической конференции молодых ученых, посвященной 85-летию ИГУ. Иркутск: Иркутский ун-т, 2003. С. 176
- Самсоненко С.Н., Самсоненко Н.Д. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 5. С. 621
- Алешин В.Г., Смехов А.А., Богатырева Г.П., Крук В.Б. Химия поверхности алмаза. Киев: Наук. думка, 1990. 200 с
- Agrawal B.K. // Sol. State Comm. 1980. V. 35. N 12. P. 971
- Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 11. С. 1281
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
