Спектрально-чувствительные МОП-фотоварикапы на основе кристаллов CdZnTe и CdS
Загоруйко Ю.А.1, Христьян В.А.1, Матейченко П.В.1
1Институт монокристаллов НТК "Институт монокристаллов" НАНУ, Харьков, Украина
Email: zagoruiko@isc.kharkov.ua
Поступила в редакцию: 22 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
МОП-гетероструктуры на основе кристаллических подложек из CdS и CdZnTe получены методом фототермического окисления образцов в кислородсодержащей атмосфере. При этом были определены режимы проведения фотоокислительных отжигов подложек из CdS, обеспечивающие получение пленок CdO с различными электрическими характеристиками. Установлено, что полученные МОП-структуры имеют высокий коэффициент перекрытия емкости по свету. Впервые определены спектральные зависимости изменения емкости таких МОП-фотоварикапов. Показана возможность значительного изменения максимума спектральной чувствительности емкости фотоварикапов путем легирования исходного полупроводникового кристалла электрически активными примесями.
- Загоруйко Ю.А., Коваленко Н.О., Федоренко О.А., Федоров А.Г., Матейченко П.В. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 4. С. 51--57
- Zagoruiko Yu.A., Fedorenko O.A., Kovalenko N.O., Mateichenko P.V. // Semiconductor Physics. Quantum \& Optoelectronics. 2000. V. 3. N 2. P. 247--250
- Загоруйко Ю.А., Коваленко Н.О., Федоренко О.А., Христьян В.А. Способ получения оксидных пленок, в частности оксида кадмия. Заявка N a200807361 от 28.05.08
- Загоруйко Ю.А., Христьян В.А. Фотоварикап МОП-структуры. Заявка N A200807371 от 28.05.08
- Рожков В.А., Трусова А.Ю., Бережной И.Г., Гончаров В.П. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 8. С. 183--186
- Рожков В.А., Трусова А.Ю. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 12. С. 50--55
- Рожков В.А., Гончаров В.П., Трусова А.Ю. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 2. С. 6--10
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук