Вышедшие номера
Обнаружение квазипериодических граней \11n\, n=7-11 в образцах с Ge/Si квантовыми точками с помощью рентгеновской рефлектометрии скользящего падения
Горай Л.И.1, Чхало Н.И.1, Вайнер Ю.А.1
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Email: lig@pcgrate.com
Поступила в редакцию: 8 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

С помощью высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии скользящего падения получены экспериментальные и теоретические данные интенсивности зеркального и диффузного отражения самоорганизующихся структур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с однослойными незарощенными и многослойными зарощенными Ge/Si квантовыми точками (КТ). Из положения пиков диффузного рассеяния в прямом пространстве с помощью методики, ранее примененной для иследования In(Ga)As/GaAs KT, были измерены с точностью ± 0.1o углы наклона квазипериодичеких гранией. Обнаруженные в образцах с неупорядоченными Ge/Si KT грани 11n, n=7-11, характерные для ямок роста упорядоченных КТ, свидетельствуют об общности моделей образования КТ.