Вышедшие номера
Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO2 (lambda=4.3 mum)
Головин А.С.1, Астахова А.П.1, Кижаев С.С.1, Ильинская Н.Д.1, Серебренникова О.Ю.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: and-golovin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Созданы светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, работающие в спектральном диапазоне 4.1-4.3 mum. Для увеличения вышедшего из кристалла излучения выбрана флип-чип конструкция светодиодов. Созданы два типа светодиодов - с гладкой и развитой световыводящей поверхностью. Исследованы электролюминесцентные свойства. Показано, что светодиоды с развитой световыводящей поверхностью более эффективны за счет увеличения выхода излучения из кристалла из-за переотражения от криволинейной поверхности. Мощность светодиодов в квазинепрерывном режиме (QCW) составила 30 muW при токе 200 mA, в импульсном режиме - 0.6 mW при токе 2 A.