Исследование возможности формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии
Акчурин Р.Х.1, Богинская И.А.1, Вагапова Н.Т.1, Мармалюк А.А.1, Панин А.А.1
1Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова (МИТХТ) OOO "Сигм Плюс", Москва
Email: rakchur@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
Экспериментально изучена возможность формирования массивов квантовых точек InAs на подложке GaAs (100) капельным методом в условиях низкотемпературной (160-360oC) МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что разложение триметилиндия, использовавшегося в качестве источника In, происходит даже при наиболее низких температурах указанного диапазона. Высота образующихся на поверхности подложки капель составляла от 3 до 12 nm при плотности ~ 0.4· 109-1.4· 109 cm-2 в зависимости от условий осаждения. Показано, что для сохранения геометрических размеров нанокристаллов InAs, образующихся на этапе последующей обработки, необходимо использовать повышенную подачу арсина.
- Koguchi N. // J. Korean Phys. Soc. 2004. V. 45. P. S650
- Kim J.S., Koguchi N. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 24. P. 5893
- Mano T., Watanabe K., Tsukamoto S. et al. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 209. P. 504
- Wang Z.M., Liang B., Sablon K.A. et al. // Small. 2007. V. 3. N 2. P. 235
- Alonso-Gonzalez P., Alen B., Fuster D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 163 104
- Lee C.-D., Park C., Lee H.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. N 18. P. 2615
- Sanguinetti S., Watanabe K., Tateno T. et al. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 253. P. 71
- Wang Z.M., Holmes K., Mazur Y.I. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2006. N 1. P. 57
- Stringfellow G.B. // Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice. London: Acad. Press, 1999. P. 228
- White D.W.G. // Metallurgical Transaction. 1972. V. 3. P. 1933.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук