Вышедшие номера
Природа белой фотолюминесценции в слоях SiO2 : C
Васин А.В.1, Кушниренко В.И.1, Лысенко В.С.1, Назаров А.Н.1, Ishikawa Yukari1, Salonen J.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева,, Киев, Украина Japan Fine Ceramics Center, Nagoya 456--, Japan Department of Physics, University of Turku, Turku F, Finland
Email: vl_kush@ukr.net
Поступила в редакцию: 6 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Слои оксида кремния, инкорпорированного углеродом (SiO2 : C), были синтезированы методом последовательной термической карбонизации/окисления пористого кремния. Полученные слои SiO2 : C проявляли яркую белую фотолюминесценцию. Исследованы свойства излучения, возбуждения и релаксации белой фотолюминесценции слоев SiO2 : C. Установлено, что широкая полоса фотолюминесценции в действительности состоит как минимум из двух полос с максимумами интенсивности в зеленой и голубой области. На основании полученных данных предложена и обоснована модель возбуждения и излучательной рекомбинации в слоях SiO2 : C. PACS: 61.43.Dq, 68.55.-a, 78.55.Qr, 78.66.Jg