Исследовались морфология поверхности и локальная электропроводность наногетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe методом СТМ в режиме полевой электронной эмиссии. Проведена оценка однородности распределения локальной электропроводности приповерхностного слоя. Экспериментально определены основные параметры потенциального барьера локального полевого контакта. Показана возможность использования зонда туннельного микроскопа для создания в полупроводнике локальных областей с неравновесной концентрацией носителей. PACS: 81.15.-z, 68.37.Ef

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.