"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование локальной электропроводности поверхности гетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием СТМ в режиме полевой электронной эмиссии
Масалов С.А.1, Евтихиев В.П.1, Растегаева М.Г.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergeym@mail.com
Поступила в редакцию: 28 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследовались морфология поверхности и локальная электропроводность наногетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe методом СТМ в режиме полевой электронной эмиссии. Проведена оценка однородности распределения локальной электропроводности приповерхностного слоя. Экспериментально определены основные параметры потенциального барьера локального полевого контакта. Показана возможность использования зонда туннельного микроскопа для создания в полупроводнике локальных областей с неравновесной концентрацией носителей. PACS: 81.15.-z, 68.37.Ef
  1. Богданкевич О.В., Лаврушин Б.М., Матвеев О.В., Певцов В.Ф., Халимон М.М. // Квантовая электроника. 1976. Т. 3. N 3. С. 612
  2. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. 624 c
  3. Ivanov S.V., Toropov A.A., Sorokin S.V., Shubina T.V., Lebedev A.V., Kop'ev P.S., Posina G.R., Bergman J.P., Monemar B. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 3168
  4. Модинос А. Авто-термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия / Пер. с англ. М.: Наука, 1990. Гл. 1. С. 19
  5. Golubok A.O., Masalov S.A., Tarasov N.A. // Ultramicroscopy. 1992. V. 42--44. P. 1574--1579

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.