Фотоэлектронные процессы в гетеропереходах, образованных пленками органических материалов
Аляев Ю.Г.1, Комолов А.С.1, Смирнов М.В.1
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: mutabor@altlinux.org
Поступила в редакцию: 24 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Проведены исследования явлений фотопроводимости и фотоэдс в гетероструктуре, образованной пленками донорного и акцепторного органических материалов. Обнаружено, что основным процессом, отвечающим за фотогенерацию и разделение носителей заряда, является распад фотовозбужденных молекулярных состояний в области интерфейса между донорным и акцепторным материалами. Установлено, что определяющее влияние на протекание фотоэлектронных процессов в данной гетероструктуре оказывает энергетическая структура электронных состояний на интерфейсе. Прослежена роль фотоиндуцированного межмолекулярного переноса заряда в формировании фотопроводимости в гетероструктуре. PACS: 71.35.-y, 71.61.Ph, 72.40.+w, 73.20.-r
- Peumans P., Yakimov A., Forrest S.R. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N 7. P. 3693
- Yu G., Heeger A.J. // J. Appl. Phys. 1996. V. 78. N 7. P. 4510
- Hirose Y., Wu C.I., Aristov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 1997. V. 113/114. P. 291
- Suemori K., Miyata T., Yokoyama M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 25. P. 6269
- Силиньш Э.А., Курик М.В., Чапек В. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах. Рига: Занатне, 1988. Гл. 5. С. 241
- Petritsch K., Dittmer J.J., Marseglia E.A. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Sells. 2000. V. 61. P. 63
- Tang C.W. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 48. N 2. P. 183
- Комолов С.А., Лазнева Э.Ф. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 19. С. 13
- Yang Y., Q. Pei Q. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. N 15. P. 1926
- Itano K., Ogawa H., Shirota Y. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 6. P. 636
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.