Вышедшие номера
Создание субмикронного металлического рисунка произвольной геометрии с использованием селективного удаления атомов кислорода из оксида молибдена
Домантовский А.Г.1, Маслаков К.И.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: doman-alex@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Впервые продемонстрирована возможность изготовления субмикронных металлических структур на подложке с помощью метода селективного удаления атомов кислорода. Получены структуры металлических линий из молибдена шириной 0.35 mum и толщиной 20 nm в результате облучения протонами с энергией 3 keV пленки оксида молибдена на кремниевой подложке через маску из электронного резиста с последующим удалением резиста и участков невосстановленного оксида. Отмечается, что указанный способ может быть использован для создания структур произвольной геометрии на различных подложках. PACS: 85.40.Hp, 61.80.Jh, 85.40.Ls
  1. International Technology Roadmap for Semiconductors. 2006. 8.512 http://www.itrs.net/Links/2006Update/FinalToPost/08\_Lithoghraphy2006Update. pdf
  2. Handbook of Microlithoghraphy, Micromachining, and Microfabrication. V. 1: Microlithography / (Ed. P. Rai-Choudhury). SPIE Press. 1997. V. PM39. 776 p
  3. Domantovsky A.G., Gurovich В.А., Maslakov K.I. // Crystallography Reports. 2006. V. 51. Suppl. 1. P. S196--S199
  4. Gurovich B., Prikhodko K., Domantovsky A., Kuleshova E., Olshansky E., Maslakov K., Lunin Y. // Proc. SPIE. 2006. V. 6260. P. 626 005
  5. Гурович Б.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Ольшанский Е.Д., Кулешова Е.А., Долгий Д.И., Ковалев Д.Ю., Филиппов В.И. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 9. С. 1074--1078

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.