Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si
Алексеев А.Н.1, Александров С.Б.1, Бырназ А.Э.1, Великовский Л.Э.1, Великовский И.Э.1, Красовицкий Д.М.1, Павленко М.В.1, Петров С.И.1, Погорельский М.Ю.1, Погорельский Ю.В.1, Соколов И.А.1, Соколов М.А.1, Степанов М.В.1, Ткаченко А.Г.1, Шкурко А.П.1, Чалый В.П.1
1Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия 
Email: support@semiteq.ru
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
Сообщаются предварительные результаты переноса технологии роста многослойных гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/AlGaN на подложки кремния. Путем оптимизации ростовых условий минимизировано количество макроскопических трещин и получены гетероструктуры с двумерным электронным газом, пригодные для создания полевых транзисторов. Ток насыщения тестовых приборов, изготовленных из гетероструктур на подложках кремния, сопоставим с аналогичным параметром приборов на подложках сапфира, в то же время не наблюдается его уменьшения, связанного с тепловым рассеянием при больших значениях рабочих напряжений. PACS: 71.55.Eq, 74.78.Fk, 81.15.-z, 81.16.-c
- Chini A., Buttari D., Coffie R. et al. // Elec. Lett. 2004. V. 40. P. 73
- Wu Y.F., Saxler A., Moore M. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 117--119
- Xu J.J., Keller S., Parish G. et al. // IEEE Transactions On Microwave Theory And Techniques. 2000. V. 48. P. 2573--2578
- Sun J., Fatima H., Koudymov A. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2003. V. 24. P. 375--377
- Chu K.K., Chao P.C., Pizzella M.T. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2004. V. 25. P. 596--598
- Hu X., Deng J., Pala N. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1299--1301
- Bove Ph., Thuret J., Letertre F. et al. // Manufacturing Engineered wafers for GaN RF power applications. GaAs MANTECH. New Orleans, 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005Papers/4.3.pdf)
- Ducatteau D., Minko A., Hoel V. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2006. V. 27. P. 7--9
- Moon J.S., Wu S., Wong D. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 2005. V. 26. P. 348--350
- Fanning D.M., Witkowski L.C., Lee C. et al. // 25 Watt X-band GaN on Si MMIC. GaAs MANTECH, New Orleans, 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005papers/8.3.pdf)
- Benkhkelifa F., Kiefer R., Muller S. et al. // Performance and Fabrication of GaN/AlGaN Power MMIC at 10 GHz. GaAs MANTECH, New Orleans, 2005. (http://gaasmantech.org/Digests/2005/2005papers/8.4.pdf)
- Алексеев А.Н., Александров С.Б., Беляевский Д.Е. и др. // Тез. докл. 5-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". М., 2007. С. 42
- Алексеев А.Н., Александров С.Б., Бырназ А.Э. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. С. 19--27
- Nikishin S.A., Faleev N.N., Antipov V.G. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 2073--2075
- Алексеев А.Н., Бырназ А.Э., Красовицкий Д.М. и др. // ФТП. 2007. Т. 41. С. 1025--1030
- Webb J.B., Tang H., Bardwell J.A. et al. // J. Crystal Growth. 2001. V. 230. P. 584--589
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
