"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Акустостимулированное изменение плотности и энергетического спектра поверхностных состояний в монокристаллах p-кремния
Заверюхина Н.Н.1,2, Заверюхина Е.Б.1,2, Власов С.И.1,2, Заверюхин Б.Н.1,2
1Физико-технический институт, Ташкент, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: Catherine.Zav@rambler.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн различной мощности на плотность NSS и энергетический спектр поверхностных состояний в p-Si-монокристаллах. Обнаружено, что в зависимости от режима облучения ультразвуковыми волнами в p-Si-монокристаллах происходят уменьшение или увеличение величины NSS по сравнению с необлученными монокристаллами. При этом происходит перераспределение интегрального заряда поверхностных состояний по ширине запрещенной зоны кремния. Наблюдаемый эффект связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь, носителем энергии, модифицирует дефектную подсистему приповерхностных слоев кристалла путем перераспределения атомов примеси и генерации новых дефектов в нем. PACS: 72.50.+b, 73.20.At, 73.40.Sx
  1. Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. // Тез. докл. XXXIII Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. М.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1983. 19--21 апреля С. 530
  2. Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д. // Там же. С. 531
  3. Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 10. С. 616--620
  4. Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 1. С. 54--66
  5. Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20. В. 3. С. 525--528
  6. Олих О.Я., Островский И.В. // Физика твердого тела. 2002. Т. 44. В. 7. С. 1198--2001
  7. Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31. В. 4. С. 503--507
  8. Валиев К.А., Козлов Б.И., Кокин А.А. // Микроэлектроника. 1972. Т. 1. В. 5. С. 26--34
  9. Литовченко В.Г., Ковбасюк В.П., Садовничий А.А. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника: Сборник. Киев: Наук. думка, 1970. В. 4. С. 39
  10. Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 7. С. 829--832
  11. Парчинский П.Б. // Микроэлектроника. 2005. Т. 34. N 6. С. 420--432
  12. Майер В.В. Простые опыты с ультразвуком. М.: Наука, 1978. С. 109--132
  13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. Ч. 3. Гл. 5. С. 257--324. ( Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. Second edition. A Wiley-Interscience Publication John Wiley \& Sons. New York. Brisbane. Toronto. Singapore. 1981)
  14. Берман Л.С., Власов С.И., Брискин В.С., Ременюк А.Д. // Заводская лаборатория. 1980. Т. 46. N 3. С. 242--252
  15. Terman L.M. // Sol. Stat. Elect. 1962. N 5. P. 803--831
  16. Островский И.В., Стеленко Л.П., Надточий А.Б. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 24. В. 3. С. 257--260
  17. Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Турсункулов О.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 18. С. 1--2
  18. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. Herbert F. Matare. Defect Electronics in Semiсonductors. Wiley-Interscience a Division of John Wiley and Sons, Inc. New York--London--Sydney--Toronto. 1971. Гл. 11. С. 331--343

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.