"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Мощные полупроводниковые квантово-размерные AlGaAs/GaAs/InGaAs (lambda=1.06 mum) гетеролазеры с внешним резонатором
Винокуров Д.А.1, Дерягин А.Г.1, Дюделев В.В.1, Кучинский В.И.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Соколовский Г.С.1, Станкевич А.Л.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad@kuch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Продемонстрировано эффективное сужение спектра генерации до 0.35 nm мощного многомодового полупроводникового лазера с широким полосковым контактом (100 mum) при использовании внешнего резонатора с дифракционной решеткой. Экспериментально получена мощность излучения лазерного диода (ЛД) с внешним резонатором 550 mW. Показано, что многомодовый ЛД длиной 3 mm на основе полупроводниковой квантово-размерной гетероструктуры AlGaAs/GaAs/InGaAs (lambda=1.06 mum) может быть использован при непосредственной накачке кристалла PPLN для получения излучения второй гармоники на lambda=0.532 mum. PACS: 42.55.Px
  • Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 3. С. 388
  • Hara T., Yatsuki M., Yamane Y., Oguri H., Mure M. // QELS. 2005. P. 856
  • Raab V., Skoczowsky D., Menze R. // Optics Lett. 2002. V. 27. P. 1995
  • Bayram S.B., Chupp T.E. // Rev. of Scientific Inst. 2002. V. 73. P. 4169
  • Zhdanov B.V., Ehrenreich T., Knize R.J. // Electron. Lett. 2007. V. 43. P. 221
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.