Вышедшие номера
InAsSbP/InAs гетероструктуры для термофотовольтаических преобразователей: получение и свойства
Геворкян В.А., Арутюнян В.М., Гамбарян К.М., Андреев И.А., Голубев Л.В., Яковлев Ю.П.
Email: igor@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Выращивание узкозонных соединений арсенида индия методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) развито для термофотовольтаических применений. Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs и их гетероструктуры InAs/InAsSbP (Eg=0.35-0.6 eV) перспективны для температур эмиттеров излучения 1000-2000oC. Продление чувствительности элементов в длинноволновую область до 3.8 mum позволяет эффективно использовать фотоны малой энергии. Пленки четверных твердых растворов InAsSbP/InAs, полученных методом ЖФЭ из переохлажденного раствора-расплава и методом электро-ЖФЭ с подпиткой ростового раствора-расплава компонентами выращиваемого слоя, имеют однородный состав и высокое совершенство кристаллической структуры. Значения обратных токов насыщения для гетероструктур n-InAs/p-InAsSpP близки к теоретическим. PACS: 84.60.Rb, 81.15.Lm