Высокомощные полупроводниковые источники излучения на основе 100 W лазерных линеек, предназначенные для накачки твердотельных лазеров
Кацавец Н.И.1, Бученков В.А.1, Искандаров М.О.1, Никитичев А.А.1, Соколов Э.Г.1, Тер-Мартиросян А.Л.1
1ЗАО "Полупроводниковые приборы", Санкт-Петербург
Email: sales@atcsd.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
Приведены результаты разработки мощных (до 5 kW) полупроводниковых излучателей (удельная мощность 400 W/cm2), выполненных в виде сборки - вертикального стека (stack) квазинепрерывных импульсных (длительность импульса 500 mus) лазерных линеек с выходной оптической мощностью 100 W. На основе таких излучателей разработан твердотельный лазер с энергией излучения до 150 mJ, предназначенный для информационных систем (лазерных дальномеров, спектроанализаторов и т. п.). PACS: 42.55.Px
- Устюгов И.И., Корнев А.Ф. // Лазер-Информ. 2003. N 13--14. С. 268--269
- Демидов Д.М., Ивкин А.Н., Кацавец Н.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 2. С. 36--42
- Diehl R. (Ed.) High-Power Diode Lasers. Topics in Appl. Phys. Berlin: Springer-Verlag, 2000
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук