"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 mum
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Молдавская Л.Д.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: lmd@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Изучена фотопроводимость гетеростурктур InAs/GaAs с квантовыми точками в диапазоне 1-2.6 mum при комнатной температуре. Особенностью структур является увеличение количества InAs при формировании слоя квантовых точек и использование чередования низко- и высокотемпературного режимов для их заращивания барьерным слоем GaAs. Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/GaAs, демонстрирующие при комнатной температуре фотолюминесценцию до 1.6 mum и интенсивную фотопроводимость до 2.6 mum. Вольт-ваттная чувствительность при комнатной температуре составила 3· 103 V/W в полосе пропускания Si фильтра, удельная обнаружительная способность 9· 108 cm· Hz1/2· W-1. PACS: 78.67.Hc, 73.61.Ey, 81.15Gh
  1. Finkman E., Maimon S., Immer V., Bahir G., Schacham S.E., Fossard F., Julien F.H., Brault J., Gedry M. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 045323
  2. Maimon S., Finkman E., Bahir G., Schacham S.E., Garsia J.M., Petroff P.M. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2003
  3. Krishna S., Raghavan S., von Winckl G., Stintz A., Ariyawansa G., Matsik S.G., Perera A.G.U. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 2745
  4. Moldavskaya L.D., Daniltsev V.M., Drozdov M.N., Zakamov V.R., Shashkin V.I. // Narrow Gap Semiconductors. 2005. Eds Kono \& Leotin. Institute of Physics Conference Series. N 187. Published by Taylor \& Franics. P. 360--364
  5. Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Черкашин Н.А., Крыжановская Н.В., Жуков А.Б., Малеев Н.А., Михрин С.С., Васильев А.П., Селин Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Бимберг Д., Алфёров Ж.И. // ФТП. 2002. Т. 36. N 9. С. 1097
  6. Nuntawong N., Huang S., Jiang Y.B., Hains C.P., Huffaker D.L. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. N 11. P. 113105
  7. Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Morozov S.V., Filatov D.O., Zdoroveishev A.V. // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 425
  8. El-Emawy A.A., Birudavolu S., Wong P.S., Jiang Y.-B., Xu H., Huang S., Huffaker D.L. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N 9. P. 3529
  9. Maximov M.V., Tsatsul'nikov A.F., Volovik B.V., Bedarev D.A., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Bert N.A., Ustinov V.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Soshnikov I.P., Werner P. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. N 11. P. 2347
  10. Жуков А.Е., Воловик Б.В., Михрин С.С., Малеев Н.А., Цацульников А.Ф., Никитина Е.В., Каяндер И.Н., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 17. С. 51
  11. Тонких A.A., Егоров В.А., Поляков Н.К., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 10. С. 71
  12. Fekete D., Dery H., Rudra A., Kapon E. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. N 3. P. 034304
  13. Chen J.F., Hsiao R.S., Chen Y.P., Wang J.S., Chi J.Y. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. N 14. P. 141911
  14. Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 8. С. 963
  15. Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Молдавская Л.Д., Шашкин В.И. // XI Междунар. симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10--14 марта 2007 г. Матер. симпозиума. Т. 2. С. 412
  16. Norris T.B., Kim K., Urayama J., Wu Z.K., Singh J., Bhattacharya P.K. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. 2077.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.