Анизотропия электрической проводимости поверхностных фаз In-Si(111)
Лавринайтис М.В.1, Цуканов Д.А.1, Рыжков С.В.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
Email: lavric@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 2 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Методами дифракции медленных электронов и четырехзондовым методом измерения электрической проводимости была исследована проводимость поверхностных фаз Si(111) sqrt(3)sqrt и Si(111) 4x1-In в зависимости от кристаллографических направлений поверхности подложки. Установлено, что направления, в которых проводимость максимальна, в сверхрешетке Si(111) sqrt(3)sqrt совпадают с кристаллографическими направлениями максимальной атомной плотности атомов In, а в поверхностной фазе Si(111) 4x1-In - с направлениями одномерных цепочек индия. PACS: 72.20.-i
- Bauerle F., Monch W., Henzler M. // J. Appl. Phys. 1972. V. 43. N 10. P. 3917--3919
- Kimberlin K.R., Tringides M.C. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. N 2. P. 462--466
- Hasegawa S., Tong X., Takeda S. et al. // Progress in Surface Science. 1999. V. 60. P. 89--257
- Tsukanov D.A., Ryzhkov S.V., Hasegawa S. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 1999. V. 7/8. P. 149--154
- Hirayama H., Baba S., Kinbara A. // Appl. Surf. Sci. 1988. V. 33/34. P. 193
- Kanagawa T., Hobara R., Matsuda I. et al. // Phys. Rev. Lett. 2003. V. 91. P. 3
- Finney M.S., Norris C., Howes P.B. et al. // Surf. Sci. 1993. V. 291. P. 99
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с
- Bunk O., Falkenberg G., Zeysing J.H. et al. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 12 228
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук