Вышедшие номера
Селективный разогрев мягкой моды в сегнетоэлектрической пленке
Прудан А.М.1,2, Мезенов А.В.1,2, Ктиторов С.А.1,2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: AMPrudan@mail.eltech.ru
Поступила в редакцию: 3 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Представлены результаты исследования влияния электромагнитного излучения с частотой f~ 0.3 THz на температуру подсистемы фононов мягкой моды в пленке (Ba,Sr)TiO3. Особенности температурных режимов в сегнетоэлектрическом конденсаторе были выявлены с помощью емкостного термометра и термопары. Обнаружено что при интенсивности накачки (~ 6 mW/mm2) перегрев фононов мягкой моды, оцениваемый по изменению емкости планарного конденсатора, превышает интегральный перегрев конденсатора, обнаруженный с помощью термопары. Проанализированы условия для неравновесного состояния подсистемы фононов мягкой моды в сегнетоэлектрической пленке. PACS: 77.80.-e