"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование компенсации проводимости в кристаллах CdZnTe : Cl с разным содержанием цинка
Матвеев О.А.1,2, Зеленина Н.К.1,2, Терентьев А.И.1,2, Томасов А.А.1,2, Гуськов В.Н.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: oleg.matveev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

Исследовалось влияние давления пара кадмия при отжиге полуизолирующих кристаллов Cd1-xZnxTe : Cl (x=0.005; x=0.01; x=0.05) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что при малом содержании цинка (x=0.005 и x=0.01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd1-xZnxTe : Cl оказывают точечные дефекты кадмия. При содержании цинка x=0.05 компенсация заряженных дефектов недостаточно регулируется изменением давления пара кадмия, что свидетельствует о существенном влиянии точечных дефектов цинка. PACS: 07.85.Fv, 61.72.-y, 72.40.-w
  1. Fiederle M., Feltgen T., Meinhart Y., Rogalla M., Benz K.W // J. Cryst. Growth. 1999. V. 97. P. 6353
  2. Verger L., Boitel M., Gentel M.C., Hamelin R., Mestais C., Mongellax F., Rustique J., Sanchez G. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. A. 2001. V. 458. P. 297
  3. Szeles Cs., Shan Y.Y., Lynn K.G., Eissler E.E. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. A. 1996. V. 380. P. 148
  4. Arlt R., Gryshchuk V., Sumah P. //Nucl. Instr. Meth. Physics Res. A. 1999. V. 428. P. 127
  5. Satoshi Miyajima, Hideaki Sakuragi, Masao Matsumoto // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. A. 2002. V. 485. P. 533
  6. Szeles Cs., Cameron S.E., Soldner S.A., Ndap J.O., Reed M.D. // J. of Electronics Materials. 2004. V. 33. P. 742
  7. Marfaing Y. // J. of Crystal Growth. 1996. V. 161. P. 205
  8. De Nobel D. // Philips Res. Rep. 1959. V. 14. P. 361
  9. Крегер Ф. // Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 654 с
  10. Fiederle M., Eiche C., Salk M., Schwarz R., Benz K.W. // J. of Appl. Phys. 1998. V. 84. P. 6689
  11. Zanio K. // Cadmium Telluride in Semiconductor and semimetals. San-Francisco, London, N. Y., 1978. V. 13. P. 230
  12. Матвеев О.А., Терентьев А.И. // ФТП. 1993. Т. 27. С. 1894
  13. Матвеев О.А., Терентьев А.И., Зеленина Н.К., Гуськов В.Н., Седов В.Е., Томасов А.А., Карпенко В.П. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 1034
  14. Matveev O.A., Terent'ev A.I., Karpenko V.P., Zelenina N.K., Fauler A., Fiederle M., Benz K.W. // Phys. Stat. Sol. (b). 2002. V. 229. P. 1073
  15. Kroger F. // Defect structure of CdTe. Rev. Phys. Appl. 1977. V. 12. P. 205
  16. Marfaing Iv. // Progr. Cryst. Growth. 1981. V. 4. P. 317
  17. Berding M.A. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 8943
  18. Krsmanovic N., Lynn K.G., Weber M.N., Tjossem R., Gessman Th., Szeles Cs., Eissler E.E., Flint J.P., Glass H.L. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16279
  19. Greenberg J.H., Guskov V.N., Fiederle M., Benz K. // J. of Cryst. Growth. 2004. V. 270. P. 23

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.