Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 8 » Статья стр. 36
<<<>>>
Способы управления потоком активного азота при росте A3-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией
Жмерик В.Н.1, Мизеров А.М.1, Шубина Т.В.1, Листошин С.Б.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: jmerik@pls.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
PDF версия
Показана возможность линейного регулирования интенсивности потока активированного азота из ВЧ-активатора с индуктивной связью при росте нитридов третьей группы методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией. С этой целью предложено использовать модифицированную конструкцию выходной диафрагмы активатора и повышенные расходы азота (~ 5 sccm), что обеспечивает линейное изменение максимальной скорости роста A3N в пределах от 0.2 до 0.8 mum· h-1 при регулировании ВЧ-мощности активатора от 110 до 200 W соответственно. Сделан вывод о положительном эффекте использования возбужденных молекул азота для эпитаксиального роста слоев GaN и InN и продемонстрировано высокое структурное и оптическое качество этих слоев. PACS: 81.15.-z
  1. Skierbiszewski C., Wasilewski Z.R., Siekacz M., Feduniewicz A., Perlin P., Wisniewski P., Borysiuk J., Grzegory I., Leszczynski M., Suski T., Porowski S. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. N 1. P. 011114-1--011114-3
  2. Storm D.F., Katzer D.S., Mittereder J.A., Binary S.C., Shanabrook B.V., Zhou L., Smith D.F., Xu X., McVey D., Vaudo R.P., Brandes J.R. // J. Vac. Sci. Technol. 2005. V. 23. N 3. P. 1190--1193
  3. Heying B., Averbeck R., Chen L.F., Haus E., Riechert H., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N 4. P. 1855--1860
  4. Iliopoulos E., Adikimenakis A., Dimakis E., Tsagaraki K., Konstantinidis G., Georgakilas A. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 278. P. 426--430
  5. Hughes W.C., Rowland W.H., Jr., Johnson M.F.L., Fujita S., Cook J.W., Jr., Schetzina J.F. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. V. 13. N 4. P. 1571--1577
  6. Blant A.V., Hughes O.H., Cheng T.S., Novikov S.V., Foxon C.T. // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. V. 9. P. 12--17
  7. Ptak A.J., Millecchia M.R., Myers T.H., Ziemer K.S., Stinespring C.D. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 25. P. 3836--3838
  8. Jordan D.C., Burns C.T., Doak R.B. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 2. P. 883--892
  9. Вакуумная техника: Справочник / Под ред. Фролова E.C. и Минайчева В.Е. М.: Машиностроение, 1992. 480 с
  10. Poblenz C., Mates T., Craven M., DenBaars S.P., Speck J.S. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N 15. P. 2767--2769
  11. Shubina T.V., Ivanov S.V., Jmerik V.N., Toporov A.A., Vasson A., Leymarie J., Kop'ev P.S. // Phys. stat. sol. (a). 2006. V. 203. N 1. P. 13--24

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme