Отжиги полуизолирующих кристаллов CdZnTe : Cl с различным содержанием Zn
Матвеев О.А.1, Зеленина Н.К.1, Карпенко В.П.1, Терентьев А.И.1, Томасов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: oleg.matveev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.
Показано влияние условий послеростового отжига под управляемым давлением пара кадмия и низкотемпературных отжигов полуизолирующих кристаллов Cd1-xZnxTe : Cl (x=0.0002; x=0.005; x=0.01; x=0.1), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации, на основные параметры материала, ответственные за качество детекторов ядерного излучения. PACS: 07.85.Fv, 61.72, 71.55.Gs, 72.40.w, 78.55.Et
- Christian Scheiber, George C. Giakos. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. 2001. V. A458. P. 12
- Fiederle M., Feltgen T., Meinhart Y., Rogalla M., Benz K.W. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 197. P. 635
- Verger L., Boitel M., Gentel M.C., Hamelin R., Mestais C., Mongellax F., Rustique J., Sanchez G. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. 2001. V. A 458. P. 297
- Szeles Cs., Shan Y.Y., Lynn K.G., Eissler E.E. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. 1996. V. A 380. P. 148
- Arlt R., Gryshchuk V., Sumah P. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. 1999. V. A 428. P. 127
- Satoshi Miyajima, Hideaki Sakuragi, Masao Matsumoto. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. 2002. V. A 485. P. 533
- Szeles C., Cameron S.E., Soldner S.A., Ndap J.O., Reed M.D. // J. of Electronic Materials. V. 33. N 6. P. 742--751
- Verger L., Boitel M., Gentet M.C., Hamelin R., Mestais C., Mongellaz F., Rustique J., Sanchez G. // Nucl. Instr. Meth. Physics Res. 2001. V. A 458. P. 297--309
- Maslova L.V., Matveev O.A., Ryvkin S.M., Terentyev A.I., Khusainov A.H. // Revue de physique appliquee. 1977. V. 12. N 2. P. 291--293
- Матвеев О.А., Терентьев А.И. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 2. С. 378--383
- Matveev O.A., Terentyev A.I., Karpenko V.P., Zelenina N.K. // J. Inorganic Mater. 2002. V. 38. N 9. P. 880--883
- Zanio K. // Cadmium Telluride in Semiconductor and semimetals. San-Francisco, London, N. Y., 1978. V. 13. P. 230
- Berding M.A. // Phys. Rev. B. V. 60. N 12. P. 8943--8950
- Зеленина Н.К., Томасов А.А. // Электронная техн. Сер. Материалы. 1983. В. 7. С. 77--78
- Ottaviani G., Canali C., Alberidi Quaranta A. // IEEE Trans. on Nucl. Scien. 1975. V. NS 22. P. 192--204
- de Nobel D. // Philips Res. Rep. 1959. V. 14. P. 361--490
- Крегер Ф. // Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 654 с
- Матвеев О.А., Терентьев А.И. // ФТП. 1993. Т. 27. N 11--12. С. 1894--1903
- Bell R.O., Wald F.V., Canaly C., Nava F., Ottaviani G. // IEEE Trans. N.S. 1974. V. NS-21. P. 331--340
- Emanuelsson P., Omling P., Meyer B.K., Wienecke M., Schenk M. // Phys. Rev. B. V. 47. N 23. P. 15578--15580
- Stadler W., Hofmann D.F., Alt H.C., Muschik T., Meyer B.K., Neigel E., Muller-Vogt G., Salk M., Rupp E., Benz K.W. // Phys. Rev. B. V. 51. N 16. P. 10619--10630
- Marbeuf A., Druilhe R., Triboulet R. // J. of Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 10--15
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.