Вышедшие номера
Оптически управляемая структура As50Se50-жидкий кристалл с высокой чувствительностью к излучению гелий-неонового лазера
Амосова Л.П.1, Чайка А.Н.1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: l_amosova@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Проведено исследование по голографической методике оптически управляемой структуры AsxSe1-x-жидкий кристалл (ЖК) с отклонением состава фотопроводника от стехиометрии в сторону избытка мышьяка. Показано, что структура с максимально возможным содержанием мышьяка в фотопроводнике As50Se50-ЖК обладает рекордно высокой чувствительностью (2.2· 10-7 W/cm2) на длине волны гелий-неонового лазера. Это дает возможность реализации нелинейных алгоритмов оптической обработки информации за счет использования для работы всей передаточной характеристики структуры, включая инверсный участок. Максимальная дифракционная эффективность структуры As50Se50-ЖК составила 36.5%. PACS: 42.70.Nq