"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование массивов GaAs нитевидных нанокристаллов на подложке Si (111) методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1, Дубровский В.Г.1, Сибирев Н.В.1, Барченко В.Т.1, Веретеха А.В.1, Цырлин Г.Э.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН" Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Продемонстрирована возможность формирования GaAs нитевидных нанокристаллов (ННК) на подложках Si (111) методом магнетронного осаждения. Показано, что характерная длина ННК изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально размерам поперечного размера вершины. Полученные результаты объясняются в рамках диффузионной модели роста ННК. PACS: 81.07.Bc
  1. Hiruma K., Yazawa M., Haraguchi K., Ogawa K., Katsuyama T., Koguchi M., Kakibayashi H. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 3162
  2. Ohlsson B.J., Bjork M.T., Magnusson M.H., Deppert K., Samuelson L., Wallenberg L.R. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 3335
  3. Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 1256
  4. Сошников И.П., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 18. С. 28
  5. Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Самсоненко Ю.Б., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Горбенко О.М., Litvinov D., Gerthsen D. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2121
  6. Dubrovskii V.G., Girlin G.E., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Tonkikh A.A., Samsonenko Yu.B., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205325
  7. Гиваргизов Е.И. // Кристаллография. 1975. Т. 20. С. 812
  8. Поляков С.М., Лаверко Е.Н., Марахонов В.М. // Кристаллография. 1970. Т. 15. С. 598
  9. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
  10. Malherbe Crit J.B. // Rev. in Solid State and Mat. Sci. 1994. V. 19 (3). P. 1
  11. Сошников И.П., Лунев А.В., Гаевский М.Э., Роткина Л.Г., Нестеров С.И., Кулагина М., Барченко В.Т., Калмыкова И.П., Ефимов А.А., Горбенко О.М. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 7. С. 106
  12. Wada O. // J. Phys. D. 1984. V. 17. P. 2429
  13. Беграмбеков Л.Б. // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. М.: ВИНИТИ РАН, 1993. В. 7. С. 4
  14. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Ред. Е.С. Машкова. М.: Мир, 1989. 389 с
  15. Сошников И.П. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 15. С. 29
  16. Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133 (4). P. 666
  17. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 587
  18. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. E. 2004. V. 70. P. 031604

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.