Формирование массивов GaAs нитевидных нанокристаллов на подложке Si (111) методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1, Дубровский В.Г.1, Сибирев Н.В.1, Барченко В.Т.1, Веретеха А.В.1, Цырлин Г.Э.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН" Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Продемонстрирована возможность формирования GaAs нитевидных нанокристаллов (ННК) на подложках Si (111) методом магнетронного осаждения. Показано, что характерная длина ННК изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально размерам поперечного размера вершины. Полученные результаты объясняются в рамках диффузионной модели роста ННК. PACS: 81.07.Bc
- Hiruma K., Yazawa M., Haraguchi K., Ogawa K., Katsuyama T., Koguchi M., Kakibayashi H. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 3162
- Ohlsson B.J., Bjork M.T., Magnusson M.H., Deppert K., Samuelson L., Wallenberg L.R. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 3335
- Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 1256
- Сошников И.П., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 18. С. 28
- Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Самсоненко Ю.Б., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Горбенко О.М., Litvinov D., Gerthsen D. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2121
- Dubrovskii V.G., Girlin G.E., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Tonkikh A.A., Samsonenko Yu.B., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205325
- Гиваргизов Е.И. // Кристаллография. 1975. Т. 20. С. 812
- Поляков С.М., Лаверко Е.Н., Марахонов В.М. // Кристаллография. 1970. Т. 15. С. 598
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
- Malherbe Crit J.B. // Rev. in Solid State and Mat. Sci. 1994. V. 19 (3). P. 1
- Сошников И.П., Лунев А.В., Гаевский М.Э., Роткина Л.Г., Нестеров С.И., Кулагина М., Барченко В.Т., Калмыкова И.П., Ефимов А.А., Горбенко О.М. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 7. С. 106
- Wada O. // J. Phys. D. 1984. V. 17. P. 2429
- Беграмбеков Л.Б. // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. М.: ВИНИТИ РАН, 1993. В. 7. С. 4
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Ред. Е.С. Машкова. М.: Мир, 1989. 389 с
- Сошников И.П. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 15. С. 29
- Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. V. 133 (4). P. 666
- Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 587
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. E. 2004. V. 70. P. 031604
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук