Вышедшие номера
Формирование массивов GaAs нитевидных нанокристаллов на подложке Si (111) методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1, Дубровский В.Г.1, Сибирев Н.В.1, Барченко В.Т.1, Веретеха А.В.1, Цырлин Г.Э.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр РАН" Институт аналитического приборостроения РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Продемонстрирована возможность формирования GaAs нитевидных нанокристаллов (ННК) на подложках Si (111) методом магнетронного осаждения. Показано, что характерная длина ННК изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально размерам поперечного размера вершины. Полученные результаты объясняются в рамках диффузионной модели роста ННК. PACS: 81.07.Bc