Примесный пробой и люминесценция терагерцового диапазона в электрическом поле в микроструктурах p-GaAs и p-GaAsN
Воробьев Л.Е.1, Фирсов Д.А.1, Шалыгин В.А.1, Паневин В.Ю.1, Софронов А.Н.1, Цой Д.В.1, Егоров А.Ю.1, Гладышев А.Г.1, Бондаренко О.В.1
1С.-Петербургский государственный политехнический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Email: shalygin@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
В напряженных слоях GaAsN : Be исследованы вольт-амперные характеристики в области прыжковой проводимости и в условиях примесного пробоя, а также электролюминесценция в терагерцовом диапазоне. Аналогичные исследования проведены в ненапряженных слоях GaAs : Be. Показано, что в условиях примесного пробоя оптические переходы между расщепленными сжатием акцепторными уровнями дают доминирующий вклад в интегральную интенсивность излучения напряженных микроструктур GaAsN : Be. PACS: 42.50.Xa
- Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Синис В.П. // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т. 59. N 7. С. 455--459
- Алтухов И.В., Каган М.С., Королев К.А., Одноблюдов М.А., Синис В.П., Чиркова Е.Г., Яссиевич И.Н. // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. N 1. С. 89--100
- Odnoblyudov M.A., Yassievich I.N., Kagan M.S., Galperin Yu.M., Chao K.A. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. N 3. P. 644--647
- Бондарь В.М., Воробьев Л.Е., Далакян А.Т., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 70. N 4. С. 257--261
- Altukhov V.I., Chirkova E.G., Sinis V.P., Kagan M.S., Gousev Yu.P., Thomas S.G., Wang K.L., Odnoblyudov M.A., Yassievich I.N. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 24. P. 3909--3911
- Егоров А.Ю., Семенова Е.С., Устинов В.М., Hong Y.G., Tu C. // ФТП. 2002. Т. 36. N 9. С. 1056--1059
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
- Малышев А.В. // ФТТ. 2000. Т. 42. N 1. С. 29--35
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук