"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные исследования сильнонапряженных квантовых ям GaAs, помещенных в слои Al0.48In0.52As и Ga0.47In0.53As
Винокуров Д.А.1, Зорина С.А.1, Капитонов В.А.1, Николаев Д.Н.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dmitry.vinokurov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 5 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP (100) выращены сильнонапряженные квантовые ямы GaAs, помещенные в слои Al0.48In0.52As и Ga0.47In0.53As. Исследованы фотолюминесцентные свойства этих структур и установлено, что квантовые ямы GaAs со слоем Al0.48In0.52As образует гетеропереход I рода, а с Ga0.47In0.53As --- II рода. PACS: 73.21.La, 78.55.-m
  1. Glaser E.R., Kennedy T.A., Bennett B.R., Shanabrook B.V. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 2240
  2. Соловьев В.А., Торопов А.А., Мельцер Б.Я. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 869
  3. Pistol M.-E., Gerling M., Hessman D., Samuelson E. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 3628
  4. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815
  5. Krijn M.P.C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 27
  6. Adachi S. Physical Properties of III--V semiconductor compounds. 1992. 336 p
  7. Моисеев К.Д., Мельцер Б.Я., Соловьев В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. B. 12. С. 50
  8. Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 24. С. 31

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.