Вышедшие номера
Изменение электронной плотности в узлах кристаллической решетки при сверхпроводящем фазовом переходе
Теруков Е.И.1, Волков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Установлено, что для металлоксидов меди существует зависимость между изменением электронной плотности в металлическом узле кристалла и температурой перехода его в сверхпроводящее состояние; для соединений, содержащих две структурно-неэквивалентные позиции для атомов меди, изменение электронной плотности при сверхпроводящем переходе различно для этих узлов; существует предельное изменение электронной плотности на ядрах 67Zn при сверхпроводящем переходе, причем это изменение различно для узлов Cu(1) и Cu(2) и соответствует двум различающимся минимально возможным значениям стандартной корреляционной длины. Проведены расчеты изменения электронной плотности в узлах кристаллической решетки Кронига-Пенни при сверхпроводящем фазовом переходе: переход от нормальной к сверхпроводящей фазе сопровождается возрастанием зарядовой плотности в центре элементарной ячейки, причем это возрастание тем больше, чем выше температура перехода в сверхпроводящее состояние, что согласуется с данными мессбауэровской спектроскопии. PACS: 74.62.Yb