Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2006, выпуск 5 » Статья стр. 89
<<<
Излучательные свойства гетероструктур InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напряжений в диапазоне 1.3-1.55 mum
Мамутин В.В.1, Бондаренко О.В.1, Егоров А.Ю.1, Крыжановская Н.В.1, Шерняков Ю.М.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamutin@narod.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
PDF версия
Проведены исследования излучательных свойств гетероструктур, предназначенных для активных областей лазеров на диапазон 1.3-1.55 mum, состоящих из квантовых ям (КЯ) InAs/InGaAsN, помещенных в сверхрешетки GaAsN/InGaAsN с компенсацией напряжений (strain-compensated). Показано, что использование таких сверхрешеток, а также дополнительных монослойных вставок InAs позволяет существенно изменять длину волны излучения квантовых ям InGaAsN в диапазоне 1.3-1.55 mum при комнатной температуре. Продемонстрирована лазерная генерация таких структур при 85 K с длиной волны, соответствующей ~1.5 mum при комнатной температуре. PACS: 42.55.Px
  1. Harris J.S. // Semicond. Sci. Technol. 2002. V. 17. P. 880
  2. Borchert B., Egorov A.Yu., Illek S., Komainda M., Riechert H. // El. Lett. 1999. V. 35. P. 2204
  3. Chow W.W., Harris J.S. // Jr. Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1673. O'Reilly P., Adams R. // IEEE-QE. 1998. V. 30. P. 366
  4. Kondow M., Uomi K., Niwa A, Kitatni T., Watahiki S, Yazawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Part 1. V. 35. P. 1273
  5. Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Устинов В.М. Патент РФ N 2257640. Заявка N 2004113171, приоритет от 28.04.2004
  6. Odnoblyudov V.A., Egorov A.Yu. Kryzhanovskaya N.V., Gladyshev A.G., Mamutin V.V., Tsatsul'nikov A.F., Ustinov V.M. // Technical Physics Lett. 2002. V. 28. P. 964
  7. Anderson T.G., Chen Z.G., Kulakovskii V.D., Uddin A., Vallin J.T. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 752
  8. Kryzhanovskaya N.V., Egorov A.Yu., Mamutin V.V., Polyakov N.K., Tsasul'nikov A.F., Kovsh R.V., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Bimberg D. // Semiconductors. 2005. V. 39. P. 703
  9. Spruytte S.G., Larson M.C., Wampler W., Colden C.W., Peterson H.E., Harris J.S. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227--228. P. 506
  10. Bian L.F., Jiang D.S., Lu S.L., Huang J.S., Chang K., Li L.H., Harmand J.C. // J. Cr. Gr. 2003. V. 250. P. 339.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme