Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерное напыление пленок GaN
Грехов И.В.1, Линийчук И.А.1, Титков И.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: ITitkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.
Методом лазерного напыления получены изолирующие c-ориентированные эпитаксиальные пленки GaN с гексагональной симметрией. Галлиевая мишень распылялась в атмосфере неактивированного азота. Пленки были выращены непосредственно на сапфировой подложке (0001) либо с использованием ZnO-буфера. Обнаружена краевая фотолюминесценция пленок на длине волны 370 nm. PACS: 42.62.-b
- Юнович А.Э. // Природа 2001. N 6. С. 1--14
- Шретер Ю.Г., Ребане Ю.Т., Зыков В.А., Сидоров В.Г. // Широкозонные полупроводники. СПб.: Наука, 2001
- Cole D., Lunney J. // Material Science and Engineering. 1997. V. B 50. P. 20--24
- Tong X.L., Zheng Q.G. et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. V. 217. P. 28--33
- Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2004. V. 43. N 1A/B. P. L53--L55
- Wang R., Muto H. et al. // Thin Solid Films. 2002. V. 411. P. 69--75
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
